合金納米顆粒UHV沉積源是納米顆粒沉積源，可在超高真空中將純納米顆粒和合金納米顆粒沉積到樣品上，從而形成功能性涂層。

此外，我們可以通過精確控制納米顆粒的大小、組成和結構來定制納米顆粒涂層的性能。此外，還提供以下源：單個 1英寸源（NL-D1）、一個 2 英寸源 （NL-D2） 或三個 1 英寸源（NL-D3）。最后，我們可以將這些源集成到您現有的 PVD 系統中，或將它們集成到我們定制的 真空系統中。

合金納米顆粒UHV沉積源主要特點

• 沉積純合金、無碳氫化合物、非團聚的納米顆粒。

• 實現亞單層或高孔隙率 3-D 納米涂層。

• NL-D3 可同時使用兩種或三種材料沉積多達三種材料，無論是單獨沉積還是合金材料。

• 所有源均與 DC 和 Pulsed DC 電源兼容。

• 通過調整各種工藝參數（如氣體流量、氣體類型、磁控管功率和聚集長度 （Lg））或改變聚集區孔徑的大小，來控制納米顆粒涂層的性能。

使用四極桿質譜儀控制納米粒徑

 質量過濾器能夠按質量或直徑實時掃描或過濾沉積的納米顆粒，從而促進生長條件的優化。

突出
? 在 1 – 20 nm 范圍內調整納米粒徑分布。

? 將納米涂層層密度從亞單層修改為 3D 納米多孔覆蓋，促進涂層從松散結合到緊密粘附。

? 管理納米顆粒的形狀和結構，從結晶形式過渡到無定形形式。

? 對飛行中的納米顆粒進行質譜分析，范圍為 100 – 106AMU 的。

? 實現納米顆粒粒度過濾，質量分辨率精度為 +/-2%。

控制軟件
通過簡單且用戶友好的 Windows™ 軟件界面進行操作。

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選擇