這是一個高價值的紫外激光直寫光刻機，面向大學和研究機構尋求擴大他們的能力。

它用亞微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蝕劑涂層表面大面積書寫。你可以寫任何東西，從光掩模到基礎科學或應用科學的研究原型，集成相機可以用來調整現有的功能寫。

我們對其進行了優化，以便于使用和簡單維護，最大限度地利用現成的部件，而不犧牲書寫質量或功能。

直接激光書寫光刻

直接激光光刻技術通過消除光掩模生產對外部供應商的依賴，大大降低了微流體、微電子、微機械和材料科學研究等領域的成本和執行時間。

無掩模光刻技術可以隨意進行納米圖案化，而不需要緩慢而昂貴的光掩模。這種便利性對于研究和快速原型制作特別有用。臺式機型，在性能上沒有任何妥協，從而補充了現有的優勢。

將紫外激光束聚焦到衍射受限的點上，并掃描該點以曝光光刻膠上的任意圖案。為了曝光大型晶圓，精密步進器會移動晶圓，并允許拼接多次曝光。能夠在6英寸晶圓上產生小于（CD）0.5μm的特征。

全新的Gen2 BEAM配件現在將成為所有系統的標準配置。期待高分辨率（<0.5 um）和高速圖案化，以及改進的縫合。

Compact

全功能無掩模光刻，比臺式電腦還小。

Powerful

亞微米分辨率，單層曝光時間僅需兩秒鐘

Ultrafast autofocus，
超快自動對焦

當與我們的閉環聚焦光學元件結合時，壓電致動器在不到一秒鐘的時間內到達焦點。

No-fuss multilayer， 多層書寫

半自動對齊允許在幾分鐘內完成多層對齊。

附帶的軟件可以快速完成任何圖案制作工作；只需加載、對齊和曝光即可。導航類似于CNC系統。

在多層曝光過程中，GDS圖案被疊加以進行可視化。控制GUI（左窗口）有一個加載的GDS的小地圖，
可以一鍵導航到晶圓上的任何區域。

紫外激光直寫光刻機技術指標