濕法晶電鍍晶圓卡盤：

在液體蝕刻劑中蝕刻晶片涉及整個晶片與蝕刻劑接觸。我們的濕處理晶片卡盤可以保護晶片的背面免受攻擊。通過這種方式，可以蝕刻深結構，而不需要掩模背面。可以制造任何晶片尺寸的卡盤以及單芯片卡盤。 產品描述 卡盤由晶片夾持器和夾緊環組成。晶片放置在夾持器上，由夾緊環固定，夾緊環擰在卡盤上。三個精密密封圈確保晶片的防漏夾緊。夾持器中用戶定義的凹槽最大限度地減少了夾緊晶片上的應力。 卡盤由PEEK制成，PEEK能夠抵抗微細加工中使用的大多數蝕刻溶液（HF、KOH、TMAH）。 對于薄膜的制造，可以添加通風管，將卡盤中的封閉空氣連接到大氣壓。如果蝕刻溶液被加熱，強烈建議這樣做。

濕蝕刻或電沉積過程中用于背面保護的濕處理晶片卡盤：我們為直徑在2英寸至200毫米之間、厚度在所需范圍內的晶片制造卡盤。
可以根據要求制造定制卡盤。可以制造用于KOH和HF蝕刻以及浸入其他化學物質的卡盤。帶有集成環形電極的卡盤可以在電鍍過程中均勻化晶片上的電流密度分布。可以根據您的需求設計用于多個濕處理晶片夾具的晶片卡盤載體。大多數載體的設計都是為了適合我們客戶的蝕刻設備。

下面，我們列出了濕法蝕刻微細加工工藝中使用的一些標準化學品，這些化學品與WPWC兼容：

HF（氫fu酸）

KOH（氫氧化鉀）

TMAH（四甲基氫氧化銨）

濕法晶電鍍晶圓卡盤代碼：WPWC

晶圓尺寸：2英寸至200毫米，可定制尺寸

蝕刻劑兼容性：HF、KOH、TMAH，可根據要求提供其他化學品

材料

支架：PEEK

夾緊環：PEEK

螺釘：PEEK

密封：取決于使用的化學品

內部尺寸（mm）

密封圈厚度：1.78

建議邊緣排除：5

外形尺寸（mm）

直徑晶圓尺寸：+40

厚度：25

螺釘：M6

晶圓厚度公差（µm）：晶圓厚度+/-80

溫度范圍：5至150攝氏度