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原子層沉積鍍膜系統1.ALD （傳統的熱原子層沉積）； 2.PEALD （等離子增強原子層沉積）； 3.Powder ALD （粉末樣品的原子層沉積）；

臺式磁控濺射鍍膜儀$n該系統可以作為以下功能裝置：$n1，研發級R&D鍍膜設備，性能優異$n2，具備所有研發級別的鍍膜要求$n3，高效的沉積速率，鍍膜時間快$n4， 實驗室中培訓的工具

金屬有機化學氣相沉積鍍膜系統（MOCVD） 其反應器的設計可以根據工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產的需要。我們也能為客戶設計以滿足客戶特殊工藝和應用的需要。系統部件包括：反應器、氣體傳輸系統、電氣控制系統和尾氣處理系統。

超高真空多功能薄膜制備系統此系統可以配置多種沉積方式（預留各種功能接口）,高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研. 高真空條件沉積模式（使用機械泵+分子泵，或冷凝泵）。多種組合沉積模式，同一腔體實現多種功能沉積方式

有機分子束沉積鍍膜系統 電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等

在線量產型磁控濺射鍍膜系統 高轉換效率 大容量吸收，電池可靠性長達10年 抗輻射

離子束刻蝕設備 離子拋光 離子清洗 等離子體灰化 等離子體氧化、氮化 表面改性 反應刻蝕 生物醫藥 傳感器

PECVD+RIE等離子體增強化學氣相沉積設備 該系統中的PECVD可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。標準配置射頻（RF），可選用空陰*密度等離子體（HCD）源、感應耦合等離子體（ICP）源。大沉積尺寸為8英寸。